快科技9月2日消息，AMD近日在内部技术研讨会上披露了一项令人振奋的实验数据：基于混合键合（Hybrid Bonding）技术的3D DRAM架构，其能效相比传统HBM堆栈最高可提升17倍。这意味着在相同功耗下，数据传输效率可实现数量级的飞跃。传统HBM虽然通过TSV硅通孔将DRAM芯片垂直堆叠，但芯片之间仍依赖微凸块进行连接。这些微小的焊料球在连接时会产生物理间隙，必须用液态塑料填充物填充，这带来了寄生电阻、限制连接密度，并阻碍热量散...